先介绍一下倒装封装 。懂芯
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业界普遍认为，片的篇倒倒装封装是封装封装传统封装和先进封装的分界点 。
上期我们提到 ，工艺芯片封装发展的先进第三阶段（1990年代） ，代表类型是装封装BGA（球形阵列）封装 。早期的懂芯BGA封装 ，是片的篇倒WB（Wire Bonding，引线） BGA ，香港云服务器封装封装属于传统封装。工艺
后来 ，先进芯片的装封装体积越来越小 ，而单颗芯片内的懂芯焊盘数量越来越多（接近或超过1000个） 。传统的片的篇倒引线封装，已经无法满足要求 。封装封装
于是，采用倒装技术替换焊线的FC BGA封装 ，就出现了 。
所谓“倒装” ，免费模板就是在晶粒上创造一些由焊料制成的“凸点”或“球” 。然后 ，把晶粒反转过来 ，让凸点对准基板上的焊盘，直接扣在基板上 。
通过加热，让熔融的凸点与基板焊盘相结合 ，实现晶粒与基板的结合 。
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WB BGA与FC BGA
我们来看看具体的工艺流程 。
以FC BGA为例。亿华云前面减薄 、切割 、清洗 、光检 ，和WB BGA（传统封装）差不多 。
要把晶粒与基板连在一起（后面会说 ，这叫“键合”） ，开始不一样了 。
第一步，是凸点制作（Bumping） 。倒装封装包括热超声 、回流焊和热压三种工艺 ，其凸点分别使用金球 、锡球和铜柱 。
热超声 ，模板下载是在超声和温度的共同作用下, 将金凸点“粘”在基板的焊盘上 。这种方式 ，适用于I/O密度较小的芯片 。
回流焊，是在锡凸点表面涂覆助焊剂 ，再通过热回流加热，进行焊接 。这种方式也适合I/O密度较小（凸点间距40-50μm）的芯片 。
热压（Thermal Compression Bonding ，TCB） ，源码库采用高深宽比 、小尺寸的铜柱凸点 ，直接加热粘结 。这种方式能够实现高密度互联 ，适用于I/O密度较大（凸点间距40-10μm）的芯片 。
金凸点的成本高 。相比之下 ，铜柱凸点的电性能 、散热性能比较好 ，制备难度均衡 ，成本也比较低 ，所以用得比较多。源码下载
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电子显微镜下的凸点
制作凸点的流程比较复杂 。其实说白了 ，就是前面晶圆制造时的那套工艺 ，例如沉积、光刻 、刻蚀等 。
沉积包括UBM（Under Bump Metallization ，凸点下金属化层）的沉积和凸点本身的沉积 。UBM位于凸点与芯片焊盘（金属垫 ，Al pad铝垫层）之间，起到增强凸点附着力 、提高电导率和热导率的作用 。
UBM的沉积 ，通常采用溅射（Sputtering） 、化学镀（Electroless） 、电镀（Electroplating）的方式实现 。
凸点本身的沉积 ，通常采用电镀 、印刷 、蒸镀 、植球的方式实现（前两者比较常见） 。
大致的流程 ，看下面的示例图应该能懂（不懂的话 ，可以回顾晶圆制造那一期的内容） ：
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比较特别的是 ，最后多了一个步骤——“回流” ，把锡帽变成了子弹头形状 。
第二步，是对准和贴装 。简单来说 ，就是使用精密的贴装设备 ，将晶粒上的凸点与基板上的焊盘进行精确对准，然后通过回流焊等工艺 ，实现凸点与焊盘的连接。
回流焊的大致过程 ：
回流焊流程
先将晶粒（芯片）的凸点沾上助焊剂 ，或者在基板上加定量的助焊剂 。助焊剂的作用 ，是去除金属表面氧化物并促进焊料流动。
然后 ，用贴片设备将晶粒精准地放到基板上 。
接下来 ，将晶粒和基板整体加热（回流焊） ，实现凸点和焊盘之间的良好浸润结合（温度和时长需要严格控制）。
最后 ，清洗去除助焊剂 ，就OK了 。
凸点数量较多 、间距较小时 ，回流焊容易导致出现翘曲和精度问题 。于是 ，这个时候就可以用热压（TCB）工艺 。
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热压流程
前文提到 ，热压（TCB）工艺非常适合更多凸点 、更小凸点间距的芯片。它利用高精度相机完成芯片间的对准 ，并通过控制热压头的压力与位移接触基座 ，施加压力并加热 ，实现连接 。（后续我们讲混合键合 ，会再提到热压 。）
第三步，底部填充 。连接之后 ，大家会注意到 ，晶粒和基板之间的区域是空心结构 。（芯片底部的焊球分布区 ，也叫C4区域 ，Controlled Collapse Chip Connection ，“可控塌陷芯片连接” 。）
为了避免后续出现偏移 、冷焊、桥接短路等质量问题 ，需要对空心部分进行填充。
填充和传统封装的塑封有点像 ，使用的是填充胶（Underfill） 。不仅能够固定晶粒 ，防止移动或脱落，还能够吸收热应力和机械应力 ，提高封装的可靠性。
底部填充工艺一般分为三种 ：毛细填充（流动型） 、无流动填充和模压填充 。
一般来说 ，倒装封装都是以毛细填充为主。方法比较简单 ：清洗助焊剂之后 ，沿着芯片边缘 ，注入底部填充胶。底部填充胶借助毛细作用 ，会被吸入芯片和基板的空隙内，完成填充 。
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填充之后 ，还要进行固化。固化的温度和时间，取决于填充胶的种类和封装要求 。
以上 ，就是倒装封装（凸点工艺）的大致流程 。
相比传统封装 ，倒装封装的优势非常明显 ：
1 、能够实现高密度的I/O电气连接 ，有利于减小芯片的体积 。
2 、凸点连接 ，相比引线 ，可靠性也更强 。
3 、信号传输路径大大缩短 ，减少寄生电容和电感 ，提高信号的完整性 。
4 、晶粒和基板直接接触 ，热量能够快速传导并散发出去 。
凸点（bump）的制造过程与晶圆制造（前道）过程非常相似 ，本身又介于晶圆制造（前道）和封装测试（后道）之间 。所以 ，也被称作“中道”工序 。
后面会提到的TSV和RDL ，也是中道工序 。
最近这十几年 ，先进封装高速发展，凸点工艺也一直在演进 。
从球栅阵列焊球（BGA Ball）到倒装凸点（FC Bump） ，再到微凸点（μBump） ，凸点的尺寸在不断缩小 ，技术难度也在不断升级 。
后续小枣君要提到的芯片堆叠、还有立体封装（2.5D/3D） ，很多都是以凸点工艺为基础。它的重要性不言而喻 ，请大家一定要注意 。
3D封装中的微凸点（μBump）
插播一个概念——键合（Bonding） 。
上期小枣君介绍了传统封装里的引线封装 。刚才 ，又介绍了倒装封装 。
这种将晶圆和晶圆 、晶圆和基板“粘贴”在一起的做法，有一个专门的名字 ，就是键合 。
引线封装，叫引线键合 。倒装封装 ，叫倒装键合。
除了这两种键合之外 ，还有 ：载带自动键合、混合键合 、临时键合等 。
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载带自动键合（Tape Automated Bonding ，TAB） ，是一种将芯片组装到柔性载带上的芯片封装键合技术 。
载带自动键合与引线键合非常类似 ，主要区别在于引线键合中，芯片的载体是引线框架或者PCB基板 。而载带自动键合 ，用的是柔性载带 。
载带自动键合
载带既作为芯片的支撑体，又作为芯片与外围电路连接的引线 。
载带自动键合包括以下5个步骤 ：
1 、制作载带 ：载带其实就是铜箔材料 。将铜箔贴合在聚酰亚胺胶带上 ，经过光刻和蚀刻 ，形成固定的 、精细的导电图形 ，并制作定位孔和引线窗口，就变成了载带 。
2 、内引线键合（ILB，Inner Lead Bonding）：将预先形成焊点的芯片精确定位后 ，采用热压或热超声方式同时将所有内引线与芯片焊盘连接 。
3 、对准和贴装 ：将芯片贴装在基板上。
4 、外引线键合（OLB ，Outer Lead Bonding） ：将载带与基板或PCB对准 ，通常采用热压方式实现批量键合 。
5 、注塑保护 ：这个和引线键合流程差不多 ，就是形成保护层 。
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相比于引线键合 ，载带自动键合适合高密度 、细间距的封装要求，具有不错的电气性能和散热性能 ，适合LCD驱动器等高密度引线连接场合 。
在传统 、低成本应用中 ，载带自动键合凭借工艺简单 、技术成熟的特点 ，仍有一定优势 。但现在都是更高性能 、更高密度封装时代 ，载带自动键合在应用和普及上，肯定还是不如倒装键合 。
混合键合 、临时键合 ，这两个概念非常重要 。后续讲到立体封装时 ，小枣君会详细介绍 。
再插播一个概念——CSP（Chip Scale Package ，芯片级封装） 。
前面几期里 ，提到过CSP ，说CSP是芯片小型化封装的一种方式 。
CSP是BGA之后开始崛起的。主要原因 ，就是因为数码产品小型化 、便携化 ，对芯片体积提出了要求 。
CSP封装 ，锡球间隔及直径更小，芯片面积与封装面积之比超过 1:1.14 ，已经相当接近 1:1 的理想情况 ，约为普通BGA封装的1/3 。
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和BGA一样 ，CSP也分为WB CSP和FC CSP 。
通常来说 ，FC CSP较多应用于移动设备（例如手机）的AP 、基带芯片 。而FC BGA，较多应用于PC 、服务器的CPU、GPU等高性能芯片 。
这个知识点大家知道一下就好 ，不算重点 。
好了 ，今天先讲到这里。
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